在橫切方向X上，自發光區塊310較所對應之控制電路區塊110朝向第一側邊101突出一偏移距離D。 較接近第一側邊101之自發光區塊310比較遠離第一側邊101之自發光區塊310具有較大之偏移距離D；換言之，越接近第一側邊101的自發光區塊310會突出於所對應的控制電路區塊110越多。 具體而言，以第一自發光區塊311、第二自發光區塊312及第三自發光區塊313為例，第一發光區塊311具有朝向第二發光區塊312之一側210，其係較第一控制電路 區塊111朝向第二控制電路112之一側220突出第一偏移距離D1。 第二發光區塊312具有遠離第一發光區塊311之一側230，其係較第二控制電路區塊112遠離第一控制電路區塊111之一側240突出第二偏移距離D2。
如請求項6所述之顯示裝置，進一步包含一邊緣帶設置於最靠近該第一側邊之該電路控制區塊外側；其中，最靠近該第一側邊之該自發光區塊至少覆蓋該邊緣帶之部分。 請參考圖3，畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c互相重疊。 連接端子400a位於畫素電路基板100a中，且畫素電路基板100a透過導電黏著層300a以及連接端子400a而電性連接畫素電路基板100b。 連接端子400b位於畫素電路基板100b中，且畫素電路基板100b透過導電黏著層300b以及連接端子400b而電性連接畫素電路基板100c。 連接端子400c位於畫素電路基板100c中，且畫素電路基板100c透過導電黏著層300c以及連接端子400c而電性連接驅動電路基板200。 在本實施例中，畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c皆電性連接至驅動電路基板200。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
在本實施例中，以發光二極體E為有機發光二極體為例，但本發明不以此為限。 在其他實施例中，發光二極體E為無機發光二極體或其他發光元件。 在本實施例中，發光層L包括藍色發光層BL、紅色發光層RL、綠色發光層GL及/或其他顏色的發光層。 換句話說，子畫素電路122包括藍色子畫素電路122B、紅色子畫素電路122R、綠色子畫素電路122G及/或其他顏色的子畫素。 第一基板110之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料）、或是其它可適用的材料。
以在橫切方向X上的投影長度而言，越接近第一側邊101的連接線路710具有越長的投影長度。 例如第二連接線路712在橫切方向X上的投影長度L2即大於第一連接線路711在橫切方向X上的投影長度L1。 本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置包括畫素電路基板、多個發光元件、驅動電路基板、多個連接端子以及導電黏著層。 例如可以在控制電路區塊110中之閘極171作為具有重覆性的結構特徵，而可定義在相鄰控制電路區塊110中的閘極171與閘極172側邊間的距離為第一距離W1。 例如可以在自發光區塊310中實質發光區域的最外緣作為具重覆性的結構特徵，而可定義在相鄰自發光區塊310中各自實質發光的區域最外緣間的距離為第二距離W2。 第二距離W2較佳係大於第一距離W1，以達成偏移距離D累積的效果。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
畫素電路基板100a包括第一基板110a、子畫素電路122B、導電結構a1以及導電結構a2。 基於上述，由於畫素電路120中的每一列對應一個以上的驅動單元設置，同一列畫素電路120上之訊號分佈的較一致，不容易出現訊號分佈不均的問題。 在一些實施例中，驅動單元SR1~SRn為閘極驅動電路，而每一列畫素電路120電性連接至同一條掃描線。 每一列畫素電路120所連接之掃描線由對應的一個驅動單元SR1~SRn所驅動。 驅動單元SR1~SRn中的一部分電性連接至訊號線CLK，驅動單元SR1~SRn中的另一部分電性連接至訊號線XCLK。 在本實施例中，驅動單元SRn-1（圖1B省略繪出）透過輸出線230而電性連接至驅動單元SRn。
在本實施例中，自發光區塊310較佳為由有機發光二極體所形成的子畫素，並與控制電路區塊110分別對應。 但在不同實施例中，自發光區塊310亦可包含多個子畫素，並由多個子畫素形成一個完整畫素的範圍。 自發光區塊310可以下方的電極350與所對應的控制電路區塊110訊號連接，以為控制電路區塊110所控制而產生光線。 每個自發光區塊310可具有不同的顏色，例如紅、綠、藍、白等，而各顏色係週期性地分佈於整個自發光層300上。 自發光區塊310的範圍，較佳係為發光材料本身分佈的範圍；然而上述範圍亦可以在自發光層300上以矩陣形式形成重複變化的結構來劃分，因此可包含作為發光材料間間隔的結構。 自發光區塊310的範圍形狀較佳為四邊形，但亦可為其他多邊形或不規則的形狀。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
請參考圖1A~圖1C，顯示裝置10包括畫素電路基板100、多個發光元件E、驅動電路基板200、導電黏著層300以及多個連接端子400。 導電黏著層300位於畫素電路基板100以及驅動電路基板200之間。 為達成上述偏移距離D累加的效果，可採用如下所示的實施方式。 在圖5的實施例中，控制電路區塊110在橫切方向X上具有平均寬度A1，而自發光區塊310在橫切方向X上具有平均寬度A2，其中寬度A2大於寬度A1。 當控制電路區塊110及自發光區塊310為矩形時，寬度A1及寬度A2分別為各自的平行於橫切方向X的邊長長度。 然而由於控制電路區塊110及自發光區塊310在平行於控制電路層100及自發光層300的平面上形狀可能為矩形外的其他形狀，因此寬度A1及寬度A2可分別為各自於橫切方向X上各剖面寬度的平均值。
- 如圖2所示，自發光層300設置於控制電路層100上方。
- 圖2之驅動電路基板200a與圖1B之驅動電路基板200的主要差異在於：驅動電路基板200a包括驅動單元SR11~SR1n、驅動單元SR21~SR2n、驅動單元SR31~SR3n，且一個以上的驅動單元對應同一列畫素。
- 由於在同一橫切方向上排列，因此第二偏移距離大於該第一偏移距離間的差值可以累加，而使得越接近第一側邊時，偏移距離越大。
- 當第一、第二控制電路區塊111、112及第一、第二自發光區塊311、312為矩形時，中心C1、C2、C3、C4分別為各自的平行於橫切方向X的邊長中點。
- 第二發光區塊具有遠離第一發光區塊之一側，其係較第二控制電路區塊遠離第一控制電路區塊之一側突出第二偏移距離。
- 源極Sb與汲極Db位於第一絕緣層I1b上，且電性連接至通道層CHb。
- 本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明之範例。
源極Sb與汲極Db位於第一絕緣層I1b上，且電性連接至通道層CHb。 在本實施例中，閘極GAb電性連接至掃描線（未繪出），源極Sb電性連接至資料線（未繪出）。 畫素電路基板100b包括第一基板110b、子畫素電路122G以及導電結構b1。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
在較佳實施例中，自發光區塊310包含在橫切方向X上相鄰排列的第一自發光區塊311及第二自發光區塊312。 第一自發光區塊311及第二自發光區塊312分別與第一控制電路區塊111及第二控制電路區塊112對應且訊號連接。 控制電路層具有在橫切方向上排列分佈的複數個控制電路區塊。 自發光層設置於控制電路層上方，並具有在橫切方向上排列分佈的複數個自發光區塊。 複數個自發光區塊分別對應於複數個控制電路區塊，且自發光區塊係與所對應之控制電路區塊訊號連接。
有機發光二極體單元31分別設置於所對應的畫素控制電路單元11上方，並經由穿孔及連接線路彼此相連。 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該畫素電路基板包括排列成多行以及多列的多個畫素電路，該些畫素電路中的每一列對應一個以上的該些驅動單元設置。 如申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中該畫素電路基板包括排列成多行以及多列的多個畫素電路，該些畫素電路中的每一列對應其中一個驅動單元設置。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
圖3之顯示裝置10a與圖1C之顯示裝置10的主要差異在於：顯示裝置10a包括多個畫素電路基板（例如畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c）。 在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。 圖2之驅動電路基板200a與圖1B之驅動電路基板200的主要差異在於：驅動電路基板200a包括驅動單元SR11~SR1n、驅動單元SR21~SR2n、驅動單元SR31~SR3n，且一個以上的驅動單元對應同一列畫素。 畫素電路基板100c包括第一基板110c以及子畫素電路122R。 劉俊欣 本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明之範例。
顯示裝置 本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種包括畫素電路基板以及驅動電路基板的顯示裝置。 請參考圖4，在本實施例中，畫素電路基板100a、畫素電路基板100b、畫素電路基板100c以及畫素電路基板100d電性連接至同一個驅動電路基板200。 畫素電路基板100a、畫素電路基板100b、畫素電路基板100c以及畫素電路基板100d例如位於同一平面上。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。 子畫素電路122R、子畫素電路122G、子畫素電路122B的位置可依需求調整。 劉俊欣 雖然本實施例是以包括子畫素電路122B的畫素電路基板100a較包括子畫素電路122R的畫素電路基板100c更遠離驅動電路基板200為例，但本發明不以此為限。 在其他實施例中，包括子畫素電路122R的畫素電路基板100c與包括子畫素電路122B的畫素電路基板100a的位置可以互相對調。 換句話說，畫素電路基板100a、畫素電路基板100b以及畫素電路基板100c的位置可以依實際需求而調整。
在本實施例中，畫素電路基板100c更包括緩衝層140c。 緩衝層140c位於第一基板110c以及導電黏著層300c之間。 閘極GAc重疊於通道層CHc，且閘極GAc與通道層CHc之間夾有閘絕緣層GIc。 源極Sc與汲極Dc位於第一絕緣層I1c上，且電性連接至通道層CHc。 劉俊欣 在本實施例中，閘極GAc電性連接至掃描線（未繪出），源極Sc電性連接至資料線（未繪出）。 閘極GAb重疊於通道層CHb，且閘極GAb與通道層CHb之間夾有閘絕緣層GIb。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。 雖然在本實施例中，導電結構b1是以單層結構為例，但本發明不以此為限。 雖然在本實施例中，導電結構a1以及導電結構a2是以單層結構為例，但本發明不以此為限。
導電結構b1貫穿第二絕緣層I2b、第一絕緣層I1b、閘絕緣層GIb、第一基板110b以及緩衝層140b。 導電結構b1於緩衝層140b中的寬度大於導電結構b1於第一基板110b中的寬度，藉此能使紅色發光層RL更佳的與畫素電路基板100c電性連接。 在圖7所示的實施例中，在橫切方向X上，第一控制電路區塊111寬度之中心C1與第二控制電路區塊112寬度之中心C2相距第一間距G1。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
在本實施例中，綠色發光層GL透過導電結構a1而電性連接至主動元件Tb。 用於控制紅色發光層RL以及藍色發光層BL的主動元件並未位於畫素電路基板100b中。 多個畫素電路120位於第一基板110上，且多個畫素電路120排列成多行以及多列。 在本實施例中，各畫素電路120包括多個子畫素電路122，每個子畫素電路122包括主動元件T以及其他導線（例如掃描線及資料線）。 雖然在圖1A中，每個畫素電路120中的子畫素電路122為橫向排列且以大小一致的矩形為例，但本發明不以此為限。 在其他實施例中，每個畫素電路120中的子畫素電路122可以採用其他的方式排列，且每個畫素電路120中的子畫素電路122可以有不同的大小。
劉俊欣: TW202016632A – 顯示裝置
對於最靠近第一側邊101的第三自發光區塊313而言，已經突出於下方對應的第三控制電路區塊113一定距離(至少為第三偏移距離D3)，因此可完全覆蓋於邊緣帶500上或至少覆蓋邊緣帶500的部分。 藉由此一設計，可達成增加顯示面積的功效，並有助於縮小顯示裝置邊框的寬度。 劉俊欣 以傳統的有機發光二極體顯示裝置為例，如圖1所示，其係包括了薄膜電晶體電路層10及有機發光二極體層30。 有機發光二極體層30由複數個有機發光二極體單元31排列組成顯示區，而薄膜電晶體電路層10包含複數個畫素控制電路單元11分別控制所對應的有機發光二極體單元31的亮度。
劉俊欣: TWI592916B – 顯示裝置
此外，由於本實施例中的畫素電路以及驅動電路式分別製作於第一基板以及第二基板上，因此，可以降低顯示裝置的製造難度。 紅色發光層RL以及綠色發光層GL分別電性連接至導電結構a1以及導電結構a2。 劉俊欣 用於控制紅色發光層RL以及綠色發光層GL的主動元件並未位於畫素電路基板100a中。
此外，在需要拼接多個顯示裝置以組成大螢幕的時候，邊框會造成顯示出來的畫面有明顯不連續的感覺。 如圖1所示，在薄膜電晶體電路層10的外側邊緣帶設有供外引腳接合用的線路部50。 圖4之顯示裝置10b與圖1C之顯示裝置10的主要差異在於：顯示裝置10b包括多個畫素電路基板（例如畫素電路基板100a、畫素電路基板100b、畫素電路基板100c以及畫素電路基板100d）。