不只是磁鐵具有磁矩，載流迴路、電子、分子或行星等等，都具有磁矩。 又，在上述各實施形態，光柵RG可以以保護部材，例如蓋玻璃所覆蓋而保護著。 蓋玻璃可設為覆蓋本體部80的下面的幾乎整面，也可以設為覆蓋包含光柵RG的本體部的下面的一部分。 又，由於保護光柵RG需要足夠的厚度，板狀保護部材為較佳，也可以對應素材用薄膜狀的保護部材。 定盤14A、14B如第十八圖所示，藉由圖未顯示的空氣軸承(或回轉軸承)被支持於基盤12的凹部12c的兩側部分的上面12d。
又，本體部80的底面也可以不必與粗動台WCS1為同一平面。 又，在基部28的上面的四角部分別設有柱部材33(在第四(A圖)、第四(B圖)未顯示位於深處的柱部材)。 柱部材33在氣動避震器26內的氣體減少時，接觸定盤14A或14B的下面，以代替氣動避震器26來支持定盤14A或14B的自體重量。 又，平面視角(從-Z方向來看)的三角形狀的浮動接觸防止部材35被固定於基部28的下面的四角部。
勞侖茲力: 我們最近與一些頂級供應商合作，討論當前工程行業的發展趨勢。
又，第二基準記號的檢測前，在晶圓台WST1位於第一負載位置的狀態下，主控制裝置20執行微動台位置計測系統70的第二計測頭群73，也就是編碼器55、56、57(及面位置計測系統58)的重設(原點的再設定)。 其後，主控制裝置20管理晶圓台WST1的位置，並對微動台WFS1上的晶圓W，進行採用與前述同樣的對準系統AL1、AL21～AL24的晶圓對準。 又，本實施形態的晶圓台WST1、WST2在微動台WFS1(或WFS2)周圍配置粗動台WCS1(或WCS2)，所以相較於搭載微動台於粗動台上的粗微動結構的晶圓台，晶圓台WST1、WST2的高度方向(Z軸方向)的尺寸可以變小。 由此，構成粗動台驅動系統62A、62B的平面馬達的推力的作用點(也就是粗動台WCS1(或WCS2)的底面與定盤14A、14B的上面之間)，與晶圓台WST1、WST2間的重心的Z軸方向距離也可以變短，而減低驅動晶圓台WST1、WST2時的俯仰力矩(或滾動力矩)。
因此，主控制裝置20根據三個Z頭76a～76c的計測值的平均值，能經常地在曝光位置的正下方進行微動台WFS1(或WFS2)的Z軸方向的位置資訊(面位置資訊)的取得。 又，主控制裝置20用(根據)三個Z頭76a～76c的計測值，加上微動台WFS1(或WFS2)的Z軸方向的位置，計測(算出)θz方向及θy方向的回轉量。 在粗動台WCS1的連結部材92a與微動台WFS1的本體部80之間，如第五圖所示，架設有一對的管86a、86b，用以將從外部供給至連結部材92a的效用力傳達至微動台WFS1。
勞侖茲力: TWI536111B – 曝光裝置、曝光方法及裝置製造方法
在此情況下，液體噴流可藉由氣流與高頻行進電磁場大致同時地加速。 對比前面所述狀況，假設固定的閉迴路處於含時磁場 ，馬克士威-法拉第方程式會顯示出一個非保守性的電場 產生於閉迴路，靠著勞侖茲力的 項目，驅使載電粒子移動於導線。 這狀況也會改變磁通量 ，法拉第電磁感應定律也會正確地計算出磁通量變化率 勞侖茲力 所產生的電動勢。
在此，頭單元50a、50b與支持投影單元PU(投影光學系統PL)的主框架BD間的位置關係被固定於確定的懸掛支持部材74a、74b內部，所以頭單元50a、50b的計測中心與主框架BD及投影光學系統PL間的位置關係是固定。 因此，將頭單元50a、50b的計測中心做為基準，計測條71的X軸方向及Y軸方向的位置資訊分別是等值於將主框架BD(上基準點)做為基準的計測條71的X軸方向及Y軸方向的位置資訊。 接下來說明關於計測晶圓台WST1、WST2的位置資訊的計測系統。 曝光裝置100具有計測微動台WFS1、WFS2的位置資訊的微動台位置計測系統70(參照第七圖)，以及分別計測粗動台WCS1、WCS2的位置資訊的粗動台位置計測系統68A、68B(參照第七圖)。 一個管運送器TCa如第二圖所示，藉由管Ta2連接於粗動台WCS1的連結部材92a內部的配管部材、配線部材。
勞侖茲力: 勞侖茲力定律的重要意義
如申請專利範圍第76~78項中任一項所述之曝光裝置，其中前述計測系統可進一步求得在前述曝光處理部的前述移動體的垂直於前述二維平面方向的位置資訊。 如申請專利範圍第84項所述之曝光裝置，其中前述第一相對位置計測系統，求得對於前述第一計測部材支持部材的前述第一支持部材的六自由度方向的位置資訊；以及前述驅動系統將前述第一計測部材支持部材在前述六自由度方向驅動。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述移動體係配置有前述計測面於第一面，前述第一面平行於對向前述導面形成部材的前述二維平面，前述物體被載置於第二面，前述第二面平行於前述第一面相反側的前述二維平面。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述移動體包含在前述導面上驅動的第一移動部材，與被支持於前述第一移動部材而可相對移動的第二移動部材；以及前述計測面被配置於前述第二移動部材。
閉迴路控制演算法會動態調整對於馬達內每一繞組施加的電壓和電流位準，不僅將扭矩最大化，也將轉子移動到特定位置。 這些控制技術的優點是估計值通常足夠精確，能免去額外的位置感應器，如此有助於降低整體的系統成本。 除了為使用者簡化現場導向控制實作的專屬系統單晶片 控制器之外，關鍵的要求是針對高效能處理器，例如 Analog Devices ADSP-BF547 Blackfin 嵌入式處理器。 範例如 Toshiba TMPM370 的 SoC 系列，其中結合了 ARM Cortex-M3 處理器、專屬的現場導向控制輔助處理器，以及馬達驅動器介面。 如申請專利範圍第79項所述之曝光裝置，更具備記號檢測系統，檢測配置於前述物體上的記號；以及前述第二計測系統的實質計測中心，一致於前述記號檢測系統的檢測中心。 如申請專利範圍第80或81項所述之曝光裝置，其中前述第一計測部材支持部材係與前述第一支持部材機械地分離；以及更具備第一調整裝置，調整前述第一計測部材支持部材的位置來維持對前述第一支持部材的前述第一計測部材支持部材的相對位置。
勞侖茲力: 磁場
如後述，本實施形態中設有投影光學系統PL，以下該投影光學系統PL的光軸AX平行於Z軸方向，在垂直的平面內標線片與晶圓相對掃瞄方向為Y軸方向，Z軸與Y軸垂直的方向為X軸方向，繞著Z軸、Y軸、Z軸的回轉(傾斜)方向分別以θx、θy、以及θz方向來進行說明。 但是，如專利文獻2的第五實施例所揭露，對於在定盤內配置編碼頭的曝光裝置，如專利文獻1所揭露，當適用於晶圓台具有可動子且定盤具有固定子的平面馬達，則以驅動晶圓台時作用於定盤的反作用力，編碼系統的計測精確度有下降的可能性。 本發明之又一構想有關於一種分離導電液體、特別地熔體噴流的裝置。
如申請專利範圍第69項所述之曝光裝置，其中前述計測系統在至少不在同一直線上的三處求得在前述曝光處理部的前述移動體的垂直於前述二維平面的方向的位置資訊。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中 前述計測系統，可進一步求得在前述曝光處理部的前述移動體的垂直於前述二維平面的方向的位置資訊。 如申請專利範圍第27項所述之曝光裝置，其中設有第一、第二移動體，做為前述移動體，分別設有前述計測面，分別將物體維持並可沿著前述導面獨立移動；更具備第一驅動系統來驅動前述第一、第二移動體。 如申請專利範圍第1~6項中任一項所述之曝光裝置，其中前述移動體係配置有前述計測面於第一面，前述第一面平行於對向前述導面形成部材的前述二維平面，前述物體被載置於第二面，前述第二面平行於前述第一面相反側的前述二維平面。 如申請專利範圍第4~6項所述之曝光裝置，更具備基部材，支持前述第一部分與前述第二部分可在平行於前述二維平面的平面內移動。
勞侖茲力: 物理君與薛小貓的生活科學大冒險：從家裡到太空，腦洞大開的226個物理現象與原理
粗動台位置計測系統68A包含光干涉計系統的狀況，能成為從分別具有平行於X軸及Y軸的測長軸的X光干涉計、Y光干涉計，將測長光束照射至粗動台WCS1的側面，接受其反射光並計測晶圓台WST1的位置資訊的結構。 第二計測頭群73具有，構成X線性編碼器55(參照第七圖)的X頭77x，構成一對Y線性編碼器56、57(參照第七圖)的一對Y頭77ya、77yb，以及構成面位置計測系統58(參照第七圖)的三個Z頭78a、78b、78c。 將X頭77x做為基準，各一對Y頭77ya、77yb及三個Z頭78a～78c的位置關係，是相同於將前述X頭75x做為基準，各一對Y頭75ya、75yb及三個Z頭76a～76c的位置關係。 也就是說，X頭77x的計測中心及兩個Y頭77ya、77yb的實質計測中心，是一致於初級對準系統AL1的檢測中心。
再舉一個例子，假若閉迴路掃掠過一個均勻的不含時磁場，由於閉迴路的形變，磁通量 會改變。 對於這三個案例，法拉第電磁感應定律正確地計算出磁通量變化率 所產生的電動勢。 其速度比較慢，會因不同種類的粒子而不同，又相依於其電荷量、質量或溫度。 、 、 ；其中， 、 、 分別為電場的三個分量， 是磁導率， 、 、 分別為導電體的移動速度的三個分量， 、 、 分別為輔助磁場的三個分量， 、 、 分別為磁矢勢的三個分量， 是電勢。
勞侖茲力: 物理
接下來，因為進行曝光裝置100的晶圓台WST1、WST2等的維持，所以說明關於將晶圓台WST1、WST2等搬出至曝光裝置100的外部(收容曝光裝置本體的室的外部)時的步驟。 如第三圖所示，管Ta1、Tb1的一端連接於設置在外部且圖未顯示的效用力供給裝置(例如電源、儲氣槽、壓縮機或真空泵等)另一端連接於各管運送器TCa、TCb。 從效用力供給裝置藉由管Ta1，供給至管運送器TCa的效用力，藉由管Ta2、收容於粗動台WCS1的連結部材92a的圖未顯示的配管部材、配線部材，以及管86a、86b而供給至微動台WFS1。 同樣地，從效用力供給裝置藉由管Tb1，供給至管運送器TCb的效用力，藉由管Tb2、收容於粗動台WCS2的連結部材92a的圖未顯示的配管部材、配線部材，以及管86a、86b而供給至微動台WFS2。
- 例如，行進電磁場可具有介於0.1百萬赫茲與100百萬赫茲之間的交流頻率。
- 為此，一電極感應熔化(鈍性)氣體霧化線圈40或一感應線圈40係安裝於線圈總成22及鈍氣噴嘴30前方。
- 計測條71配置有+Z側半部(上半部)於定盤14A’、14B’的凹部14c的內部，-Z側半部(下半部)被收容於形成在基盤12’的凹部12c內。
- 如申請專利範圍第79項所述之曝光裝置，其中在前述移動體的前述計測面，配置將平行於前述二維平面的方向做為週期方向的光閘；以及前述第二計測部材包含編碼頭，前述編碼頭將計測光束照射至前述光閘，接收來自前述光閘的繞射光。
- 又，主控制裝置20分別用一對Y線性編碼器52、53的計測值，計測(算出)微動台WFS1(或WFS2)的θz方向位置(繞Z軸的回轉量)。
- 又，定盤14A’、14B’，將曝光處200與計測處300之間的位置做為分界，由於藉由特定間隙機械地分離，一者的晶圓台上的晶圓交換時的其晶圓台及定盤14A’的振動，不會影響到定盤14B’及另一者的晶圓台。
- 因此，以下將代表地採用晶圓台WST1來說明，關於晶圓台WST2則僅在需要狀況下才會特別說明。
平台裝置50的-X側結構部分的往裝置外搬出後，作業者與上述一樣，將平台裝置50的+X側結構部分(包含四個支持部16、基盤12B、定盤14B、晶圓台WST2及管運送器TCb等)搬出至曝光裝置的外部。 第一計測頭群72如第六圖所示，被配置於投影單元PU的下方，包含X軸方向計測用一維編碼頭(以下略述為X頭或編碼頭)75x，一對的Y軸方向計測用一維編碼頭(以下略述為Y頭或編碼頭)75ya、75yb，以及三個Z頭76a、76b、76c。 做為將微動台WFS1微小驅動時的導引運作的導引部材94a、94b分別被固定於粗動滑動部90a的-Y側的側面以及粗動滑動部90b的+Y側的側面。 導引部材94a如第五圖所示，是由以X軸方向延設的剖面L字形部材所組成，其下面與粗動滑動部90a的下面被配置於同一面上。 導引部材94b相對於導引部材94a是左右對稱，同樣地被構成且同樣地被配置。 如請求項8或請求項9之裝置，更包括一鈍氣噴嘴，調整成適應於生成圍繞該液體噴流且大致在該第一方向上運動之一氣流，以藉由該氣流在該第一方向上額外地加速該液體噴流。
勞侖茲力: 平面迴圈
接下來，作業者給予主控制裝置20，支持各基盤12A、12B的各四個支持部16分別構成的固定部材17，及將支持各定盤14A、14B的各四個浮上升降機構118的氣動避震器26縮減的指令。 由此，以主控制裝置20，將各固定部材17具備的氣動避震器內所充填的氣體往外部排出，各固定部材17縮減，如第十二圖所示，支持各定盤14A及14B的基盤12A、12B會下降。 接下來，以主控制裝置20把各浮上升降機構118從第一狀態轉換到第二狀態，如第十三圖所示，分別支持晶圓台WST1、WST2的定盤14A、14B從第十二圖的位置再下降。 在第十三圖的狀態，晶圓台WST1及WST2的最上面位於計測條71的下端面的更下方。
- 例如可以將至少一第一部分及第二部分在XY平面內以特定方向移動，藉由分界線，以可將第一部分與第二部分分離的定盤的上面，來形成晶圓台WST1、WST2的移動時的導面。
- 圖式所示之電極可譬如由鈦、鈦合金、以鋯、鈮、鎳、或鉭為基礎之合金、貴重金屬或貴重金屬合金、銅或鋁合金、特殊金屬或特殊金屬合金組成。
- 一對微動滑動部84a、84b分別由前述的導引部材94a所支持，微動滑動部84c由導引部材94b所支持。
- 後者的狀況，在曝光中晶圓支架會膨脹，就算是對於微動台的裝配位置有偏離的狀況，追從於此而能計測晶圓支架(晶圓)的位置。
- 主控制裝置20根據三個Z頭的計測值，算出將主框架BD(的計測基準面)做為基準的計測條71的Z軸方向位置，及θx、θy方向的回轉量。
光幕和紅外線近接感應器提供不實際接觸另一物件就能偵測障礙物的方法。 這兩種方式都使用從目標彈回的光波來判斷和障礙物之間的相對距離。 市面上已出現感測器中樞 IC，用於簡化來自多種感應器類型的資料整合工作，並支援感應器融合演算法。 而進一步的整合已衍生出多種裝置，結合中樞功能、感應器本身，以及實作融合技術 (例如 Kalman 篩選) 所需的處理能力。 Bosch Sensortec BNO055 就是一個例子，由其公司的 FusionLib 勞侖茲力 軟體所支援。
勞侖茲力: 勞侖茲力
由當前最新技術已知之生成霧化微滴的方法以及裝置經常以鈍氣霧化液體或液化材料為基礎。 此中，金屬或金屬合金熔體之熔體噴流係藉由鈍氣噴嘴提供且霧化。 假設閉迴路移動於不相依於時間的磁場 ，通過閉迴路的磁通量 會因為幾種因素而改變：例如，假若磁場 隨著位置改變，閉迴路移動至不同磁場 的位置，則磁通量 會改變。 或者，假若相對於磁場，閉迴路的定向改變，由於微小元素 的改變，磁通量 也會改變。
勞侖茲力: 勞侖茲力方程式的協變形式
演算法認為可能較為正確的更新，其加權會高於認為不確定性較大的更新。 當感應器效能變化相對於濾波器內部模型所提供的預測狀態顯得較不尋常時，能夠隨著這些變化而因應，就能提供較為可信的答案，協助提高整體可靠度。 勞侖茲力 在迴轉儀感應器上執行校正措施，有助於減少會造成飄疑的錯誤：提供可加入整合迴路中的補償值。 但是若系統提供的動作感應器類型不止一種，則還有另一個選項：感應器融合。 高通濾波器提供一套機制，篩除加速的重力成份，同時維持輸入物理動作所產生預期變化較快的加速成份。
勞侖茲力: TWI536111B – 曝光裝置、曝光方法及裝置製造方法
如申請專利範圍第12項所述之曝光裝置，其中前述基部材的兩個部分之一者，能對另一者沿著前述二維平面方向相對移動。 如申請專利範圍第11項所述之曝光裝置，其中前述基部材的兩個部分中至少一者，能以垂直於前述二維平面的方向移動。 如申請專利範圍第8項所述之曝光裝置，其中前述第二支持部材，與任一前述第一部分、前述第二部分及前述基部材是非接觸狀態。
勞侖茲力: 物理
如申請專利範圍第76~78項中任一項所述之曝光裝置，其中前述第一計測部材的實質計測中心，是一致於曝光位置，曝光位置是被照射至前述物體的前述能量光束的照射區域的中心。 如申請專利範圍第51或52項所述之曝光裝置，其中前述第一計測部材的實質計測中心，是一致於曝光位置，曝光位置是被照射至前述物體的前述能量光束的照射區域的中心。 如申請專利範圍第1~6項中任一項所述之曝光裝 置，其中前述計測系統具有前述計測部材，將實質的計測中心一致於曝光位置，前述曝光位置是照射至前述物體的前述能源光束的照射區域中心。 第三十四圖：在第四實施形態的曝光裝置，對載置於晶圓台WST1上的晶圓進行曝光，對載置於晶圓台WST2上的晶圓進行晶圓對準狀態的顯示圖。 第二十四圖：在第二實施形態的曝光裝置，對載置於晶圓台WST2上的晶圓進行曝光，在晶圓台WST1上進行晶圓交換狀態的顯示圖。 勞侖茲力 第二十三圖：在第二實施形態的曝光裝置，位於曝光處的晶圓台從晶圓台WST1交換到晶圓台WST2狀態的顯示圖。
勞侖茲力: 物理君與薛小貓的生活科學大冒險：從家裡到太空，腦洞大開的226個物理現象與原理
該第二十七圖的變形例中，配置有曝光處200、計測處300的定盤14A、14B的X軸方向的寬，相較於前述第一、第二實施形態變成約為一半程度，挾著這些定盤14A、14B，配置著大致同樣尺寸的定盤14C、14D。 這種狀況也與前述相同，各四個定盤14A～14D藉由基盤上圖未顯示的空氣軸承(或回轉軸承)，而被支持著。 又，各定盤14A～14D以前述相同構成的四個定盤驅動系統而可個別地驅動。 如以上構成的曝光裝置100中，交互使用晶圓台WST1、WST2，對特定批數或特定枚數的晶圓進行曝光。 也就是說，以主控制裝置20，對維持於晶圓台WST1、WST2中之一者的晶圓進行曝光動作，並在晶圓台WST1、WST2中之另一者進行晶圓交換、晶圓對準的至少一，上述並行處理動作交互使用晶圓台WST1、WST2，進行相同於一般雙晶圓台型的曝光裝置。
勞侖茲力: 我們最近與一些頂級供應商合作，討論當前工程行業的發展趨勢。
另一方面，包含將XY二維方向做為行方向、列方向的矩陣狀配置的複數個線圈的一個線圈單元CUc被收容於導引部材94b的內部(底部)(參照第五圖)。 供給至構成線圈單元CUa～CUc的各線圈的電流強度與方向，是以主控制裝置20(參照第七圖)來控制。 又，本實施形態的粗動台WCS1、WCS2僅粗動滑動部90a、90b具有平面馬達的磁石單元的結構，但也不限於此，也可以結合連結部材92a、92b來配置磁石單元。 又，做為驅動粗動台WCS1、WCS2的致動器，並不限於電磁力(勞侖茲力)驅動方式的平面馬達，也可以採用例如可變磁阻驅動方式的平面馬達等。
如可在第3圖中看出，圖式所示設計範例中之線圈總成22係整合入一鈍氣噴嘴30中，鈍氣噴嘴設計成拉瓦噴嘴形式。 第3圖因此顯示本發明之一具體實施例，包括第1圖及第2圖中所示方法之組合。 對比於第1圖中所示之方法，第2圖中所示方法中之熔體噴流110的臨界速度分布係藉一鈍氣流122生成。 鈍氣流122係以一高速度vg流通過鈍氣噴嘴120而進入霧化塔中。 由於熔體噴流110係通過鈍氣噴嘴120中心，因此鈍氣流122圍繞熔體噴流110且透過剪應力作用於熔體噴流110之外層上。 熔體噴流110之外層因此較熔體噴流110之內層在第一方向12上更強力地加速。
接下來，作業者從支持基盤12A的四個支持部16的浮動部材19各具有的空氣浮動器使壓縮氣體噴出。 由此，如第十四圖所示，支持基盤12A的四個支持部16從地面102浮上。 在該狀態，如第十四圖中白箭頭所示，作業者將平台裝置50的-X側結構部分(包含四個支持部16、基盤12A、定盤14A、晶圓台WST1及管運送器TCa等)，一體地往-X方向移動，搬出至曝光裝置的外部。
勞侖茲力: 磁場
對此，近年來採用電磁驅動方式的平面馬達，開發出控制晶圓的二維平面內位置的平台裝置(參照例如專利文獻1)。 動作可能只是簡單打開或關閉閥門：這是構成液壓或氣動系統的重要部分。 電磁線圈在此提供解決方案，它包含纏繞行動金屬電樞的導電線圈。
勞侖茲力: 勞侖茲力
如申請專利範圍第59項所述之曝光裝置，其中在前述複數個定盤之內，對向於前述第二支持部材的至少一定盤，形成有前述計測光束可通過的光透過部。 如申請專利範圍第59項所述之曝光裝置，其中前述第二支持部材，與任一前述複數個定盤以及前述基部材是非接觸狀態。 如申請專利範圍第51項所述之曝光裝置，具備：曝光處理部，進行將前述能源光束照射至前述物體的曝光處理；以及計測處理部，被配置成從前述曝光處理部離開至平行於前述第一軸的方向的一側，進行對前述物體的計測處理；前述分界線位於前述曝光處理部與前述計測處理部之間。 如申請專利範圍第49項所述之曝光裝置，更具備記號檢測系統，檢測配置於前述物體上的記號；其中前述計測系統更具有另一計測部材，將實質的計測中心一致於前述記號檢測系統的檢測中心。 勞侖茲力 如申請專利範圍第28項所述之曝光裝置，其中前述計測系統具有前述計測部材，將實質的計測中心一致於曝光位置，前述曝光位置是照射至前述物體的前述能源光束的照射區域中心。